Vassoio semiconduttore RSiC per wafer a tre colonne da 12 pollici
Nell'industria dei semiconduttori, il supporto per wafer da 12 pollici svolge un ruolo fondamentale nelle linee di produzione di chip al silicio da 12 pollici (300 mm). Questo supporto per wafer RSiC funge da componente di consumo ad alte prestazioni integrato nelle apparecchiature di processo al silicio da 12 pollici esistenti, in particolare nei forni a diffusione verticale. Realizzato in carburo di silicio ad alta purezza, questo supporto per wafer in carburo di silicio ricristallizzato avanzato offre caratteristiche prestazionali eccezionali:
1. Eccezionale resistenza alle alte temperature: il supporto per wafer da 12 pollici mantiene l'integrità meccanica anche a temperature superiori a 1650 °C, prevenendo la deformazione e supportando in modo sicuro i pesanti wafer da 12 pollici.
2. Stabilità termica superiore e resistenza agli urti: il supporto per wafer RSiC resiste a cicli di riscaldamento e raffreddamento estremamente rapidi senza crepe, riducendo significativamente i cicli di processo e migliorando la capacità produttiva.
3. Purezza ultra elevata e bassa contaminazione: questo supporto per wafer in carburo di silicio ricristallizzato contiene minime impurità metalliche, meno contaminazione rispetto al quarzo, il che lo rende ideale per processi avanzati sensibili alle impurità.
4. Elevata conduttività termica: il supporto per wafer da 12 pollici favorisce una distribuzione uniforme della temperatura all'interno del tubo del forno, migliorando la coerenza del processo.
Le nostre capacità produttive includono supporti a piastrelle, supporti per wafer a tre colonne e supporti per wafer a quattro colonne. Queste soluzioni di supporto per wafer RSiC sono ampiamente utilizzate nei settori dei semiconduttori e del fotovoltaico, e sono particolarmente adatte per processi di ossidazione e impiantazione ionica con wafer di dimensioni ridotte.
PARAMETRI TECNICI DEL MATERIALE
Industria dei semiconduttori/fotovoltaica | RSiC |
Purezza SiC (%) | 99,9-99,99 |
Densità apparente (g/cm3) | 2,65-2,75 |
Porosità apparente (%) | 15-16 |
Resistenza a temperatura ambiente (MPa) | 90 |
Resistenza a 1300℃ (MPa) | 100 |
Resistenza alla connessione del corpo sinterizzato (MPa) | 25 |
DETTAGLIO DEL PRODOTTO
Supporto per wafer in carburo di silicio ricristallizzato
Il supporto per wafer in carburo di silicio ricristallizzato è prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio ad alta purezza mediante tecnologia di sinterizzazione per ricristallizzazione. Questo supporto per wafer RSiC si integra con denti e scanalature lavorati con precisione, ottenendo superfici lisce e prive di sbavature.
Progettato specificamente per i settori manifatturieri che richiedono estrema pulizia e stabilità, tra cui semiconduttori, fotovoltaico e LED, la funzione principale di questo supporto per wafer da 12 pollici è quella di supportare in modo sicuro e stabile i wafer di silicio. Questo supporto avanzato per wafer RSiC è ampiamente utilizzato in processi critici come la deposizione chimica da vapore (CVD), la diffusione termica e la ricottura ad alta temperatura.
IMBALLAGGIO
IL NOSTRO SERVIZIO
Riseport Global Traders Ltd. (Shenyang) offre servizi OEM e ODM, controllo qualità durante l'intero processo, feedback in tempo reale sullo stato di avanzamento degli ordini, consulenza tecnica professionale e risposta rapida ai problemi post-vendita. Offriamo inoltre soluzioni logistiche internazionali personalizzate per supportare i clienti con aggiornamenti tecnologici e ottimizzazione della supply chain, garantendo un servizio clienti globale senza preoccupazioni, dall'approvvigionamento all'applicazione.
