Il supporto per wafer RSiC è un componente fondamentale nei processi di produzione di semiconduttori e di crescita dei cristalli, specificamente progettato per supportare wafer di silicio o substrati di carburo di silicio in ambienti ad alta temperatura. Questo essenziale supporto per wafer da 12 pollici fornisce un supporto affidabile durante le varie fasi di lavorazione termica.
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Il supporto per wafer RSiC è un supporto fondamentale nei processi di produzione di semiconduttori e di crescita dei cristalli, utilizzato principalmente per trasportare wafer di silicio o substrati di carburo di silicio in ambienti ad alta temperatura. Il supporto per wafer semiconduttore presenta vantaggi quali elevata purezza, resistenza alle alte temperature (oltre 1600 °C), resistenza alla corrosione da acidi e alcali, basso coefficiente di dilatazione termica ed elevata conduttività termica.
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Il supporto in carburo di silicio legato con nitruro di silicio presenta un'elevata resistenza al fuoco, alla compressione, un'elevata conduttività termica, resistenza all'ossidazione e un'eccellente resistenza agli shock termici. Personalizzabile in base alle dimensioni o ai disegni del cliente per garantire l'assenza di deformazioni e un'elevata qualità, è adatto per ceramiche di uso quotidiano, sanitari e ceramiche elettroniche. La temperatura di esercizio può raggiungere i 1450 °C.
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