Ceramica elettronica RSiC per la cottura di elementi elettrici
DESCRIZIONE DEL PRODOTTO
Le ceramiche RSiC (carburo di silicio ricristallizzato) stanno rivoluzionando il campo della produzione di elementi elettrici da cottura grazie alle loro eccezionali proprietà fisiche e chimiche. Questo materiale avanzato consente innovazioni rivoluzionarie nella cottura di elementi elettrici, in particolare per ceramiche elettroniche ad alte prestazioni e dispositivi a semiconduttore. Le caratteristiche uniche dell'RSiC offrono un controllo senza precedenti sull'ambiente di cottura, garantendo risultati ottimali per elementi elettrici sensibili durante le fasi critiche del processo termico.
Caratteristiche del RSiC nella cottura degli elementi elettronici
Controllo di precisione ad altissima temperatura
Funzionamento stabile a lungo termine a 1600°C con capacità a breve termine fino a 1800°C;
Uniformità superiore del campo termico
Conduttività termica regolabile (1,2-45 W/mK) tramite progettazione ottimizzata della porosità;
Capacità di sinterizzazione rapida: variazione della superficie del wafer di ±0,5°C a velocità di riscaldamento di 100°C/min (co-cottura dell'elettrodo MLCC);
Sinterizzazione di precisione: stabilità del campo termico di ±0,2°C a velocità di riscaldamento di 5°C/min (elaborazione del substrato LTCC);
Purezza assoluta del processo: ambiente privo di contaminazione per ceramiche elettroniche sensibili;
Durata di servizio estesa
PARAMETRO PRINCIPALE
Industria delle attrezzature per forni ad alta temperatura | RSiC |
Contenuto di SiC (%) | ≥99% |
Densità apparente (g/cm3) | 2,65~2,75 |
Porosità apparente (%) | <17 |
Resistenza a temperatura ambiente (MPa) | 90~100 |
Resistenza a 1300℃ (MPa) | 100-110 |
Modulo di elasticità a 20℃ | 240 |
Conduttività termica a 1200℃ (W/mk) | 36 |
Espansione termica x10-6/℃ | 4.6 |
Temperatura massima di utilizzo (℃) | 1650℃ |
Durezza a 20°C (Kg/mm2) | 2000 |
Tenacità alla frattura a 20° (MpaxM1/2) | 2.0 |
APPLICAZIONE
Produzione di ceramiche elettroniche
Condensatori ceramici multistrato (MLCC): le piastre di sinterizzazione RSiC prevengono le reazioni substrato-forno;
Lavorazione avanzata della ceramica elettronica con purezza e stabilità termica garantite;
Imballaggio dell'elettronica di potenza
Sinterizzazione dell'argento MOSFET SiC: i dispositivi RSiC abbinati al CTE (4,5×10⁻⁶/°C) riducono al minimo lo stress termico durante la sinterizzazione a pressione di 250°C;
Ottimizzato per l'accensione di elementi elettrici nella produzione di dispositivi di potenza;
Soluzioni di imballaggio avanzate
Confezionamento a livello di wafer tramite tecnologia TGV (Through Glass Via): i substrati RSiC mantengono una planarità <1μm/100mm durante il riflusso del vetro a 850°C;
Prestazioni superiori per il confezionamento di elementi elettrici di precisione;
Componenti di supporto
Piastre di spinta sinterizzate leggere con resistenza alla flessione mantenuta;
Supporti per wafer di precisione (specifiche 200 mm/300 mm);
Elementi di controllo dell'atmosfera: RSiC poroso (pori da 10-50 μm) con uniformità di permeazione di H₂ pari a ±2%;
La ceramica RSiC rappresenta il gold standard per la cottura di elementi elettrici, garantendo la precisione, la purezza e le prestazioni richieste per la produzione di dispositivi elettronici di nuova generazione.
IMBALLAGGIO
IL NOSTRO VANTAGGIO
In qualità di fornitore di servizi completi per la filiera del carburo di silicio (SiC), Riseport Global Traders Ltd. (Shenyang) integra pienamente le risorse a monte e a valle nel suo modello di business e nella progettazione della catena del valore, creando una piattaforma di commercio estero differenziata e competitiva. Combiniamo soluzioni di servizio personalizzate con un sistema di produzione efficiente e tecnologicamente avanzato per garantire una qualità superiore e una rapida risposta. Questo ci consente di offrire un servizio globale impeccabile e di alta qualità, garantendo il successo dei nostri clienti sui mercati internazionali.
