Polvere grezza di SiC ad alta purezza/polvere grossolana di SiC (5N-6N)
DESCRIZIONE DEL PRODOTTO
La polvere di carburo di silicio ad alta purezza è un materiale ceramico ad alte prestazioni con eccellenti proprietà fisiche e chimiche, composto principalmente da carburo di silicio (SiC) ad alta purezza. La purezza della polvere grezza di SiC 5N-6N è solitamente compresa tra il 99,999% e il 99,9999%, con impurità estremamente basse come ferro, alluminio e ossigeno. Il contenuto totale di impurità deve essere controllato entro un intervallo compreso tra lo 0,001% (10 ppm) e lo 0,0001% (1 ppm).
Tra i più comuni troviamo α-SiC (sistema esagonale, come i tipi 4H e 6H) e β-SiC (sistema cubico). La polvere grossolana di SiC è solitamente in fase α e presenta un'elevata stabilità. L'intervallo granulometrico della polvere grossolana di SiC è compreso tra 10 μm e 100 μm e la purezza della polvere grezza di SiC può raggiungere il livello 5N (purezza ≥ 99,999%).
Questo materiale di polvere grossolana di SiC ha superato di gran lunga la portata dei comuni abrasivi industriali o dei materiali refrattari; la polvere grezza di SiC è il materiale di base fondamentale per la preparazione della prossima generazione di dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni.
CARATTERISTICHE DELLA POLVERE GREZZA DI SiC
Purezza della polvere grezza di SiC: dal 99,999% (5N) al 99,9999% (6N)
Dimensioni delle particelle: in genere 10–100 μm (intervallo di polvere grossolana di SiC)
Fase cristallina: prevalentemente α-SiC (politipi 6H o 4H per applicazioni elettroniche)
Impurità principali:
Metalli (Fe, Al, Ni, Cr): <1 ppm (6N), <5 ppm (5N)
Ossigeno (O): <50 ppm
Azoto (N): <20 ppm
Carbonio libero (C): <0,1%
DETTAGLIO DEL PRODOTTO
Purezza del carburo di silicio: dal 99,999% (5N) al 99,9999% (6N).
La polvere grezza di SiC ad alta purezza è un materiale fondamentale per la produzione di fascia alta e, con lo sviluppo di settori come quello delle nuove energie e del 5G, la domanda continua a crescere.
Nell'industria dei semiconduttori, viene utilizzato come materiale di partenza per la produzione di lingotti monocristallini di carburo di silicio mediante il metodo del trasferimento fisico di vapore (PVT). La polvere sublima ad alta temperatura, viene trasportata al cristallo di partenza per la ricristallizzazione e si sviluppa in un lingotto monocristallino per la produzione di un wafer. Oltre all'elevata durezza, all'elevata conduttività termica e alla resistenza agli shock termici del carburo di silicio stesso, la caratteristica principale della polvere ad alta purezza 5N-6N è una sola: l'estrema purezza.
La polvere di carburo di silicio ad alta purezza 5N-6N è la perla al vertice della piramide dell'industria dei semiconduttori. Non è più una semplice polvere, ma un materiale funzionale all'avanguardia che richiede estrema purezza, una struttura cristallina precisa e un rigoroso controllo delle dimensioni delle particelle. La sua preparazione rappresenta una sfida enorme che abbraccia scienza dei materiali, chimica, termodinamica e ingegneria, e svolge un ruolo importante nello sviluppo dei futuri veicoli elettrici, delle nuove energie e delle tecnologie di comunicazione 5G.
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